Čistost-centrična zmogljivost: pri čistem visoko{0}}prevodnem bakru je električna prevodnost neposredno določena s kemično čistostjo. Nečistoče (npr. Fe, Pb, S, O) sipajo elektrone, kar zmanjšuje prevodnost. Tako ima čisti baker z visoko-prevodnostjo običajno najmanjšo vsebnost bakra 99,9 % (npr. C11000, T2) ali celo 99,99 % (npr. baker brez kisika C10200-) s strogimi omejitvami ravni nečistoč (npr. Fe manj kot ali enako 0,05%, Pb manj kot ali enako 0,01 %).
Mikrostrukturna optimizacija: Tehnike obdelave (npr. žarjenje, hladna obdelava) posredno vplivajo na prevodnost. Popolno žarjenje (mehko stanje, M/O) odpravi notranje napetosti in rekristalizira mikrostrukturo, kar poveča prevodnost-, medtem ko pretirana hladna obdelava (trdo stanje, Y/H) nekoliko zmanjša prevodnost (za 2–5 % IACS) zaradi popačenja mreže.
Ključni gonilniki aplikacij: Cenjen zaradi zmanjšanja izgube energije pri električnem prenosu in popačenja signala v visoko-frekvenčnih sistemih. Ključnega pomena za industrije, kot so proizvodnja električne energije, elektronika, vesoljska industrija in telekomunikacije.
Električna prevodnost: 97–101 % IACS
Toplotna prevodnost: 380–395 W/m·K
Natezna trdnost: 200–350 MPa (odvisno od stopnje obdelave)
Raztezek: 5–50 % (odvisno od stopnje obdelave)









